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扫描电镜背散射电子成像

背散射电子(BSE)是由弹性散射产生的。当主电子束中的电子接近样品中的原子核时,受到原子核中正电荷的作用力,它们的运动轨迹发生了偏离。背散射电子的产率取决于原子核的大小。BSE图像对比度反应了样品表面的成分衬度。在这篇博客中,会介绍背散射电子系数,并解释它是如何受到样品倾斜度和入射电子束能量的影响。

 

背散射系数

 

背散射电子是由入射电子束中入射电子的弹性散射产生的,其能量大于50eV,在飞纳电镜之前的一篇博客中解释过。背散射电子数量产生取决于许多因素,包括样品中材料的原子序数和电子束的加速度电压。

 

电子束与样品相互作用产生的背散射电子的数量被称为背散射系数 η,定义为背散射电流(IBSE)和探针电流(IP)的比值:

 

 

其中 EB 是背散射电子的排出能量。背散射系数受加速电压、原子序数 Z 以及样品表面与入射电子束的夹角的影响。

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